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覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

2015年11月05日 17:10来源: 人气:3499

  的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330WLDMOS,器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功放130W,峰值功放200W,在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。
  
  PXAC203302FV特性:
  
  宽带内部输入、输出匹配
  
  适用于非对称Doherty设计:Main:130W,Peak:200W
  
  28V,2025MHz,Doherty结构CW测试性能
  
  输出P1dB=250W,效率=55%,Gain=16dB
  
  可以承受10:1VSWR驻波比失配@28V,250W输出
  
  HumanBodyModelClass2(perANSI/ESDA/JEDECJS-001)
  
  内部集成ESD保护
  
  低热阻
  
  无铅,符合RoHS标准
  
  表1.PXAC203302FV射频性能
  
  图1.PXAC203302FVACPR&Eff
  
  图2.PXAC203302FVGain&Eff
  
  PXAC203302FV采用H-37275-4封装,整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm,这为缩小板面积提供了便利。得益于英飞凌*的LDMOS制造工艺,PXAC203302FV具有良好的热性能、可靠性以及坚固耐用性。
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