IGBT驱动保护设计总结

⑴IGBT 由于集电极-栅极的寄生电容的密勒效应的影响，能引起意外的电压尖峰
损害，所以设计时应让栅极的阻抗足够低，以尽量消除其负面影响；
⑵栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很
大的影响，所以设计时要综合考虑；
⑶应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的du/dt 和Uge
的峰值，达到短路保护的目的；
⑷在工作电流较大的情况下，为了减小关断过电压，应尽量减小主电路的布线电
感，吸收电容应采用低感或无感型；
⑸IGBT 与MOSFET 都是电压驱动，都具有一个2.5～5V 的阈值电压，有一个
容性输入阻抗，因此IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保
证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT 的连线要尽量短；
⑹用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的
前后沿，使IGBT 的开关损耗尽量小。另外，IGBT 开通后，栅极驱动源应能
提供足够的功率，使IGBT 不退出饱和而损坏；
⑺驱动电平Uge 也必须综合考虑。Uge 增大时， IGBT 通态压降和开通损耗均
下降，但负载短路时的Ic 增大， IGBT 能承受短路电流的时间减小，对其安全
不利，因此在有短路过程的设备中Uge 应选得小些，一般选12～15V；
在关断过程中，为尽快抽取PNP 管的存储电荷，须施加一负偏压 Uge, 但它
受IGBT 的G 、E 间zui大反向耐压限制，一般取 1～10V；
⑻在大电感负载下， IGBT 的开关时间不能太短，以限制出di/dt 形成的尖峰
电压，确保IGBT 的安全；
⑼由于IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电
位上应严格隔离；
⑽IGBT 的栅极驱动电路应尽可能简单实用，自身带有对IGBT 的保护功
能，有较强的抗*力。