ST推出世界1500V超结功率MOSFET

2015年11月12日 13:04:55人气：4255来源：

　　意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能zui大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。

　　新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是zui大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的*选择。
　　
　　意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水平，单位面积同态电阻(Rds(on))和栅电荷量(Qg)均创市场zui低，并拥有业界*的FoM(质量因数)[1]。新产品是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振(quasi-resonant)有源钳位反激式转换器以及LLC[2]半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。
　　
　　该系列先推出的两款产品是STW12N150K5和STW21N150K5，其zui大漏源电流分别达到7A和14A，栅电荷量仅为47nC(STW12N150K5)或通态电阻仅为0.9Ω(STW21N150K5)。两款产品均已量产，采用TO-247封装。

关键词：晶体管

上一篇：桌面Veid指静脉嵌入式模块

下一篇：常熟阅山轩假日休闲酒店电能管理系统的设计与应用

全年征稿/资讯合作 联系邮箱：1271141964@qq.com

免责声明

凡本网注明"来源：智能制造网"的所有作品，版权均属于智能制造网，转载请必须注明智能制造网，https://www.gkzhan.com。违反者本网将追究相关法律责任。
企业发布的公司新闻、技术文章、资料下载等内容，如涉及侵权、违规遭投诉的，一律由发布企业自行承担责任，本网有权删除内容并追溯责任。
本网转载并注明自其它来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品来源，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。