CREE推出了业界900V MOSFET

　　SiC者CREE推出了业界900VMOSFET：C3M0065090J。凭借其突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
　　　　
　　世强代理的该900VSiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上zui低的65mΩ的额定导通电阻;当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。　　
　　C3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供优化的+15v/5v门极驱动和+/-36v连续漏电流。配备131数控C3M0065090D通孔模型和134数控C3M0065090J表面装配模型的快速二极管，所以反向恢复时间短。此外，该产品采用业界标准TO247-3/TO220-3封装，还能提供开尔文连接的低阻抗D2Pak-7L表面贴封装，从而减小了栅极振荡。欢迎世强40088-73266咨询订购。
　　
　　C3M0065090J的特点与优势：
　　
　　•采用SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，n沟道增强型
　　
　　•高阻断电压，较低的导通电阻65mΩ(25°C)，90mΩ(150°C)
　　
　　•较低的高速开关功放
　　
　　•新的低阻抗包和驱动源
　　
　　•具用快速内在二极管，反向恢复电流较低(Qrr)
　　
　　•工作温度：-55°C至+150°C
　　
　　•封装：标准TO247-3/TO220-3，及低阻抗D2Pak-7L表面贴封装
　　
　　•无卤,通过无铅认证
　　
　　C3M0065090J的应用：
　　
　　•可再生能源
　　
　　•电动汽车电池充电器
　　
　　•高压直流/直流转换器
　　
　　•开关模式电源
　　
　　•太阳能逆变器