集成电路、场效应管

客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用选择：

•      效率和热性能

•      使用方便

•      电磁干扰行为

特征描述

•      极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off

•     高性能技术

o     低开关损耗 (E oss)

o     高效率

o     优异的热性能

•      支持高速开关

•      集成保护齐纳二极管

•      V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差

•      成熟的产品组合

优势

•      成本具竞争力的技术

•      与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K

•      更高开关速度实现更高效率增益

•      更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸

•      高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平

•      轻松驱动和设计导入

•      支持更小的外形规格和更高的功率密度设计

•      优良产品的选择

潜在应用

•      充电器

•      适配器

•      电视

•      照明

•      音频

•      辅助电源

耗散功率:26.5 瓦

上升时间:8 纳秒

输入电容（Ciss）:517pF @400V

下降时间:18 纳秒

工作温度:-40 °c 150 °c

耗散功率:26500 毫瓦

封装TO-220

工作温度-40°c ~ 150°c

其他

产品生命周期积极

包装方式导轨，管

制造应用辅助电源

符合标准

RoHS 标准符合 RoHS 标准

含铅标准无铅