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LPCVD设备

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  • 公司名称鹏城半导体技术(深圳)有限公司
  • 品       牌
  • 型       号PC-007
  • 所  在  地深圳市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2022/8/19 17:14:30
  • 访问次数747
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鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新YIN/LING与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

公司核心业务是微纳技术与gao/duan精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备*的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

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团队部分业绩分布

*自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。


设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。


设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所


设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所


设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室


设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学*材料实验室


设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心


设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所


设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学

                                             

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公司已投放市场的部分半导体设备


|物理气相沉积(PVD)系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

|化学气相沉积(CVD)系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机

|超高真空系列

分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)

|OLED中试设备(G1、G2.5)

|其它

金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉

|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)

团簇式太阳能薄膜电池中试线

半导体设备,分子束系统MBE,ALD原子层沉积,超高真空系列,物理气相沉积PVD系列,化学气相沉积CVD系列
品牌 鹏城半导体 成膜类型 详见产品简介
膜层不均匀性 详见产品简介 装片方式 详见产品简介
工作压强范围 详见产品简介 基片形状类型 详见产品简介
LPCVD设备是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
LPCVD设备 产品信息

LPCVD设备是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。


管式CVD.JPG

设备结构及特点

1、小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸;每次装片1~3片。

基片放置方式:配置三种基片托架,竖直、水平卧式、带倾角。

基片形状类型:不规则形状的散片、φ2~4英寸标准基片。

2、设备为水平管卧式结构

由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了*的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。


设备主要技术指标

成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等

耐高温度 1200℃

恒温区长度 根据用户需要配置

恒温区控温精度 ≤±0.5℃

工作压强范围 13~1330Pa

膜层不均匀性 ≤±5%

基片每次装载数量 标准基片:1~3片;不规则尺寸散片:若干

压力控制 闭环充气式控制

装片方式 手动进出样品


LPCVD设备(生产型)

设备功能

该设备是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。

可提供相关镀膜工艺。


设备结构及特点:


设备为水平管卧式结构,由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。


反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了*的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。


整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理,实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。


设备主要技术指标

成膜类型  Si3N4、Poly-Si、SiO2等

耐高温度 1200℃

恒温区长度 根据用户需要配置

恒温区控温精度 ≤±0.5℃

工作压强范围 13~1330Pa

膜层不均匀性 ≤±5%

基片每次装载数量 100片

设备总功率 16kW

冷却水用量 2m3/h

压力控制 闭环充气式控制

装片方式 悬臂舟自动送样


LPCVD软件控制界面




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