存储器MT29F8G16ADBDAH4

NOR 闪存是两种非易失性存储技术之一。 NAND是另一个。 非易失性存储器不需要电源来保存数据。 NOR 和 NAND 在每个存储单元中使用不同的逻辑门（数字电路的基本构建块）来映射数据。 两种类型的闪存都是东芝发明的，但商用 NOR 闪存是英特尔于 1988 年推出的。NAND 闪存是东芝于 1989 年推出的。NAND 存储设备是串行访问的，使用相同的八个引脚来传输控制、地址和数据信息。 NAND 可以写入单个内存地址，每次写入八位（一个字节）。

在功耗方面，NOR Flash在上电时需要比NAND更高的电源电流。 但是，一旦上电，NOR 的待机功率要求远低于 NAND。 因此，NOR 通常更适合从内存中随机读取，而 NAND 在写入、擦除和顺序读取方面效率更高。 NOR Flash于手机、科学仪器和医疗设备。 NAND 在经常上传和替换大文件的设备中找到了市场，例如 MP3 播放器、数码相机和 USB(通用串行总线) 闪存驱动器。