产品介绍:
优异的高效分析性能
微型采样方法(已在日本和美国取得)已在半导体器件分析领域成为一款工具,它正迅速向更小制样方向发展。仅用一小时左右即可获得一个微小样品,以便于STEM分析,其定位精度可达到0.1 μm以下。
产品特点:
聚焦离子束(FIB)微采样装置和聚焦离子束(FIB)微采样方法
聚焦离子束(FIB)微柱状制样实例
一个微柱状样品,包含一个直接从半导体器件上准确地切割下来的分析点。改变入射聚焦离子束(FIB)的方向,把微样品切割或加工成任意形状。
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优异的高效分析性能
微型采样方法(已在日本和美国取得)已在半导体器件分析领域成为一款工具,它正迅速向更小制样方向发展。仅用一小时左右即可获得一个微小样品,以便于STEM分析,其定位精度可达到0.1 μm以下。
产品特点:
聚焦离子束(FIB)微采样装置和聚焦离子束(FIB)微采样方法
聚焦离子束(FIB)微柱状制样实例
一个微柱状样品,包含一个直接从半导体器件上准确地切割下来的分析点。改变入射聚焦离子束(FIB)的方向,把微样品切割或加工成任意形状。
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