RSM065030W
产品描述
RSM065030W是瑞森采用的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。广泛应用于服务器、电信设备、电机驱动等各种工业应用场合。
VDS =650V,ID =55A
RDS(ON)<50mΩ@ VGS =18V
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
产品优势:
基于国家军标生产线研制生产,工艺稳定,质量可靠。
产品特性:
高频率、高功率、高效率、低导通电阻。
产品应用:
太阳能逆变器,高压DC/DC变换器,电机驱动,UPS电源,开关电源,充电桩等。