TS系列 常压氧化/扩散炉APCVD

● 常压工艺：烧结、合金、退火、含氢退火等工艺，特殊低温炉体（<500°C）

● 干氧/扩散 Max .1350°C，薄栅氧（60 Angstrom），可配置 Trans LC or HCL

● 湿氧，带水冷外点火氢氧合成，水汽注入厚氧工艺 up to 16 Micron，可配置 Trans LC or HCL

● POCl₃ / BBr₃ 扩散工艺，用于半导体器件工艺

● 支持 6 ~ 12 寸的晶圆

● 有保证的工艺指标

● 可提供多种标准工艺和定制化工艺

主要系统特性

● 提供多用途大气和 CVD 处理室，适用于任何类型的硅片，即 100mm - 300mm 圆形（半导体）晶圆，125 – >156mm 方形（太阳能）晶圆

● 批量处理每管 25 至 1000 片晶圆

● 设备模块化设置，1 - 4 管。空管将来可以通过附加/新加工进行改造

● 大气工艺：退火（N₂，成型气体），干/湿氧化物，POCl₃，BBr₃

● LPCVD 工艺：掺杂/未掺杂的多晶硅、氮化硅、三通硅、低相色谱、HTO、西波士

● ALD：Al₂O₃，TiO₂，HfO₂

● 提供小尺寸、手动加载或全自动晶圆传输工具

客户利益

● 从实验室到晶圆厂：从实验室规模到大批量生产，多种工艺都可轻松更换

● 提供完整的流程和服务支持团队，直接从Tempress总部

● 高度灵活地选择加工

● 系统都是向后兼容的。这保证了在将来的任何时候为您的Tempress炉设备提供全面支持

● 获得Tempress在半导体加工方面的全面内部知识，这些知识也可应用于太阳能电池制造解决方案