● 适用于氮化硅工艺 – 标准和低应力工艺
● 适用于掺杂、非掺杂多晶硅工艺
● 适用于掺杂、非掺杂 TEOS 工艺
● 适用于掺杂、非掺杂 LTO/ HTO
● 支持 6 ~ 12 寸的晶圆
● 有保证的工艺指标
● 可提供所有标准工艺和定制化工艺
主要系统特性
● 在一个系统中进行原位氧化和多晶沉积
● 提供固有和原位掺杂聚工艺
● 高批量负载
● 高达 210mm 的晶圆尺寸
客户利益
● 的钝化 iVoc > 整个负载下 730 mW
● 通过高系统吞吐量实现低的 CoO
● 在大批量生产中久经考验的 TOPCon 生产解决方案