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”和“TransFar创四方
”两大自主品牌，产品覆盖全国并远销海外。集团拥有占地面积80余亩，建筑面积40000m²的福建产业基地(位于福建省南平市武夷新区高新技术产业园区内)。集团系中国电源学会理事单位，北京电源行业协会常务理事单位，中国电子质量管理协会会员单位， 电车人产业联盟理事单位，ISO9001质量体系认证单位，中国电子行业用户满意企业、用户满意产品单位。 经过多年发展，公司汇聚了一批高素质的专业技术人才，在各类产品上都能实现有针对性的专业性设计和高品质制造。所有产品都具有结构布局合理、隔离耐压高、散热好、环境适应能力强等显著优点，可广泛应用于新能源电动汽车、光伏发电、风力发电、电力智能化、铁路、工业控制系统、电力电子装置、智能仪器仪表、通用电器设备等不同行业复杂的使用环境中。 我公司的设计将以市场需求为导向，不断创新，关注客户并努力为客户创造价值，与业界同仁携手并进，共同为电子元器件市场和电力电子行业的繁荣与发展做出应有的贡献。“动力星”DRT803/311BIGBT驱动变压器
DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。
一．产品特点：
①耦合电容低，使之具有很高的抗干扰的能力；
②漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；
③无开关延时、瞬时传输功率高；
④抗电强度高，安全可靠；
⑤全封闭，机械和耐环境性能好；
⑥体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。
二．使用条件：
①环境温度：-40℃~ 85℃
②相对湿度：温度为40℃时不大于90%
③大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg）
三．绝缘耐热等级：F级（155℃）
四．安全特性：
①绝缘电阻：常态时大于1000MΩ
②阻燃性：符合UL94-V0级
五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值）
① 各参数的意义：
u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s。
∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn（在一定频率范围内其值基本不变）。
V1—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。
tn—在相应的V1和FP下驱动变压器的额定传输脉宽。
V2—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。
RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。
LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000Hz V=1V
CK—分布电容 f=1000Hz V=1V
② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数
| u | Vp | 初级电感 | 漏感 | 分布电容 | ∫udt | V1 | tn | V2 | RL | 使用频率范围 |
| （kV） | LP | LS | CK | （μV S） | （V） | （μS） | （V） | （Ω） | ||
| 3:01:01 | 6 | 3.5mH | 12μH | 32pF | ≥1000 | 30 | 33.3 | 9 | 100 | 100Hz~50 kHz |
