数据列表STD17NF03LT4 标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族FET - 单系列STripFET? II其它名称STD1703LT4 STD17NF03LT4
规格
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)17A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(zui大值)50 毫欧 @ 8.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(zui大值)2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 封装D-Pak
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FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)17A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(zui大值)50 毫欧 @ 8.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(zui大值)2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 封装D-Pak
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FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)17A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(zui大值)50 毫欧 @ 8.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(zui大值)2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 封装D-Pak