SEN3051单晶硅变送器

特色服务

提供单晶硅变送器OEM贴牌生产，各种外形壳体可选

提供变送器全套大散件

◆1Kpa，4Kpa，40KPa，400Kpa，4Mpa，40Mpa六个标准量程，涵盖过程控制全压力范围。zui小标准量程1Kpa，保证微差压段*性能。

◆*桥路电阻：10KΩ，有效控制温度影响和静压影响，保证输出信号超高信噪比，搞好zui低。

◆*的过压性能

MD系列芯片具有*过压能力：

1Kpa芯片过压达1.5Mpa（1500倍过压）

4Kpa芯片过压达2.5Mpa（625倍过压）

绝大部分微差压应用可实现无中心膜片结构，提高整理准确度与静压特性，同时简化传感器结构、降低成本、让利于用户。

◆芯片单晶硅层厚度达2.5mm

在硅芯片技术中，硅片的尺寸与有效硅层的厚度将对芯片的成本和性能起到很关键的作用。而且统一的传感器芯片材质，将更好的实现温度特性，让芯片的温度变化时，应力特性*。采用全单晶硅材质，尺寸与厚度都为行业内zui大，不惜成本，注重品质。

◆芯片惠斯通电电桥与引线布局，采用梅花镜像对称布局。全对称布局、均衡受力、减小噪声来源，同时也方便一次封装，提高稳定性与*性。

◆超低温度误差

1、30℃→135℃→30℃（42h）：

zui大输出信号偏差仅为：-0.07uV/V

2、30℃→-40℃→30℃（42h）：

zui大输出信号偏差仅为：-0.02uV/V

温度影响：优于0.05%/K

静压特性：＜0.03%FS/100bar

*稳定性：＜0.03%FS/100year