【
中国智能制造网 新品速递】据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。Dowa表示，该新型芯片尺寸是之前型号的3.5倍，其输出功率为6.8 mW。据称，Dowa已经开始为该新型芯片提供样品。
日本Dowa开发出1300 nm波段近红外芯片
值得注意的是，使用LED的各种光学传感器具有尺寸小、省电以及使用长寿命等优点。此外，波长范围为800nm至2000nm的近红外光可以高度渗透用于光学传感器应用的生物体，包括农作物和食品的分析、以及健康和医学应用等。Dowa预计，在医疗领域，这种近红外LED的市场将会继续扩大。例如，近红外LED可用于测量血糖而无需采血样的传感器。
Dowa声称，其新开发的中心波长为1300 nm波段的近红外LED芯片极大地增加了向顶部表面的光输出，而这则是传感器应用所必需的；与此同时，近红外LED还实现了高功率输出。
Dowa计划进一步扩展这些技术，在未来生产中心波长分别为1450 nm和1650 nm的近红外LED，从而进一步完善其近红外发射器产品阵容。
(原标题：日本Dowa开发出1300 nm波段近红外芯片)
版权与免责声明：凡本网注明“来源：智能制造网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：智能制造网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
本网转载并注明自其它来源（非智能制造网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
我要评论