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SK海力士公布HBM3技术规格:容量翻倍且改进散热

2021-06-10 13:50:58来源:cnBeta 阅读量:5361

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导读:凭借更快的HBM解决方案,SK海力士致力于推动高带宽显存市场扩张。
  SK海力士刚刚公布了下一代高带宽内存(HBM3)的技术规格,可知其在提升传输速率和增大容量的同时,还引入了散热方面的新改进。具体说来是,该公司的HBM3产品将提供高达665Gbps的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在产品页上,SK海力士还分享了一张对比图表,以直观地展示从HBM2E到HBM3的变化。
 
  这家DRAM制造商表示,HBM3有望实现5.2 Gbps的I/O速率,较现有的HBM2E提升44%,从而大幅提升整体的内存带宽。
 
  凭借更快的HBM解决方案,SK海力士致力于推动高带宽显存市场扩张。而该公司正在开发的 HBM3,还能够以5.2Gbps的I/O速率,达成超过665GB/s的带宽。
 
  与现有的DRAM相比,新一代产品将迎来44%的性能提升。与此同时,SK海力士将进一步完善在HBM2E上首次引入的相关创新,比如为HBM3上配备增强版的散热解决方案。
 
  具体说来是,它能够在温度减少14℃的情况下,为HBM2E带来36%的散热效果改善。所以在HBM3上,我们期待着它能够带来更大的惊喜。
 
  容量方面,我们预计初代HBM3会与HBM2E持平。后者基于16Gb DRAM芯片,由8-hi堆栈达成总计16GB容量。不过随着JEDEC敲定最终规范,我们预期HBM3的存储密度会进一步增加。
 
  如果进展顺利,我们或于明年晚些时候,见到搭载HBM3高带宽显存的下一代CNDM架构的 AMD Instinct加速卡、英伟达的Hopper GPU以及英特尔Xe-HPC架构的高性能计算加速器等产品。
 
  (原标题:SK海力士公布HBM3技术规格:带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热)

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