SK海力士刚刚公布了下一代高带宽内存(HBM3)的技术规格，可知其在提升传输速率和增大容量的同时，还引入了散热方面的新改进。具体说来是，该公司的HBM3产品将提供高达665Gbps的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在产品页上，SK海力士还分享了一张对比图表，以直观地展示从HBM2E到HBM3的变化。
这家DRAM制造商表示，HBM3有望实现5.2 Gbps的I/O速率，较现有的HBM2E提升44%，从而大幅提升整体的内存带宽。
凭借更快的HBM解决方案，SK海力士致力于推动高带宽显存市场扩张。而该公司正在开发的 HBM3，还能够以5.2Gbps的I/O速率，达成超过665GB/s的带宽。
与现有的DRAM相比，新一代产品将迎来44%的性能提升。与此同时,SK海力士将进一步完善在HBM2E上首次引入的相关创新，比如为HBM3上配备增强版的散热解决方案。
具体说来是，它能够在温度减少14℃的情况下，为HBM2E带来36%的散热效果改善。所以在HBM3上，我们期待着它能够带来更大的惊喜。
容量方面，我们预计初代HBM3会与HBM2E持平。后者基于16Gb DRAM芯片，由8-hi堆栈达成总计16GB容量。不过随着JEDEC敲定最终规范，我们预期HBM3的存储密度会进一步增加。
如果进展顺利，我们或于明年晚些时候，见到搭载HBM3高带宽显存的下一代CNDM架构的 AMD Instinct加速卡、英伟达的Hopper GPU以及英特尔Xe-HPC架构的高性能计算加速器等产品。
(原标题：SK海力士公布HBM3技术规格：带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热)
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