Intel EUV极紫外光刻设备进厂：冲刺“4nm”工艺

2022-01-20 13:33:26来源：快科技关键词：极紫外光刻设备芯片制造 4nm工艺阅读量：23658

导读：位于爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)、投资70亿美元的Intel Fab 34晶圆厂迎来重要时刻：一台光刻胶显影设备(lithography resist track)缓缓进入工厂，这也是该厂的第一台巨型芯片制造工具。

　　位于爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)、投资70亿美元的Intel Fab 34晶圆厂迎来重要时刻：一台光刻胶显影设备(lithography resist track)缓缓进入工厂，这也是该厂的第一台巨型芯片制造工具。

　　该设备来自Intel美国俄勒冈州工厂，搭乘飞机越过大西洋，来到了爱尔兰。

　　这台设备将与EUV极紫外扫描仪搭档，首先为硅晶圆覆上精密的涂层，然后进入EUV扫描仪，进行曝光，接着晶圆回到光刻设备，再进行一系列的高精密光显影、清理操作。

　　一座典型的晶圆厂包含大约1200台先进制造设备，大部分价值都在百元美元级别。

　　Intel Fab 34晶圆厂2019年动工建设，计划2023年正式投产，将会把Intel在爱尔兰的产能翻一番，并为未来生产Intel 4工艺铺平道路——严格来说是Intel 7nm，但是官方重新命名，认为它可以媲美行业4nm水平。

　　Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工艺(10nm ESF)，Meteor Lake 14代酷睿和代号Granite Rapids的下下代至强都将用上Intel 4工艺。

　　官方透露，新工艺研发进展顺利，芯片测试已经完美通过，SRAM、逻辑单元、模拟单元都符合规范，去年第二季度还早早完成了Meteor Lake计算单元模块的流片。

　　Intel现阶段正在全球建设、升级晶圆厂，除了爱尔兰还有美国本土的亚利桑那州、新墨西哥州、俄勒冈州，以及马来西亚，投资上百亿美元，很快还会宣布在欧洲、美国的更多晶圆厂建设计划。

　　原标题：Intel EUV极紫外光刻设备进厂：冲刺“4nm”工艺

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