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锐呈
9月8日消息，据天眼查显示，长存三期(武汉)集成电路有限责任公司于9月5日正式成立。
其由长江存储科技有限责任公司(持股50.1931%)与湖北长晟三期投资发展有限责任公司(持股49.8069%)共同持股，经营范围覆盖了集成电路设计、制造、芯片及产品销售等全产业链环节，公司的法定代表人为陈南翔(其也是如今长江存储的董事长)，而还有一个特别"吸精"的是其高达207.2亿元的注册资本。
如此大规模的资金投入，即使在被戏谑为“烧金如土”的半导体行业也相当夸张，这家中国存储巨头，又有了什么大动作？
超200亿投资背后的“巨量市场”
此次长存三期公司的成立，距其二期项目已时隔5年，恰逢AI技术的快速发展期。
如今“AI+X”应用的爆发，让整个半导体产业回暖加速。如AI手机、AIPC、AI眼镜等终端产品的升级与创新，催生了对算力芯片、存储器等产品更强劲的需求。
2024年全球半导体市场销售额达6305.49亿美元，其中存储芯片以1655.16亿美元的规模占据重要地位，且预计2025年全球存储收入有望再增18%，达到2000亿美元。
此时长江存储斥巨资继续扩大产业布局也不足为怪，这也是这家中国存储巨头十年发展历程上的又一个重要里程碑。
十年奇迹路
回望长江存储自2016年7月成立以来的发展历程，也实属不易，堪称十年“高强度”登顶之路：
从“0-1”解决“有无”——2016年一期项目开工，32层、64层稳定量产，2017年首款3DNAND芯片(X0-A030)面世；
到逐渐突破“核心”——2018年自主研发Xtacking™架构；
再到慢慢追赶“主流”——2019年64层TLC3DNAND量产、2020年128层QLCX2-6070量产，将技术与国外差距缩短至一年左右，同年6月二期项目建立，零售存储品牌致态SSD也随即上市；
随后进一步瞄准“前沿”——2022年率先全球量产232层3DNAND内存，首次在堆叠层数实现了对国际巨头的反超；
如今全球“领先”——2024-2025年开始出货232层TLC芯片，通过双层堆叠技术实现等效294层结构，接口速度提升至3600MT/s。
据悉其下一代产品已将目光投向了超300层的技术结构，进一步提升存储密度。
结语
长江储的早期发展，为中国在全球存储芯片市场硬生生“啃”下了一席之地，也在持续创新为后来抢占国际市场奠定基础。
随着外部半导体设备限制加剧，长江存储也正在积极推动供应链国产化，其在今年下半年将启动首条完全采用国产设备的试产线。
自主可控之路漫长。十年时间，长江存储已从当初的“追赶者”，迈向“竞争者”，成为如今的“领航者”。
原标题：注册资本超207亿，存储巨头新公司落地武汉！
浙公网安备 33010602000006号
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