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据“中国光谷”报道，近日，位于武汉左岭大道与武黄大道交汇处的光谷高端微电子器件产业园一期宣告建成，多家企业即将入驻，与之一路之隔的二期项目也同步启动建设，预计2027年建成投用。
该产业园地处光谷智能制造产业园内，由武汉葛化集团有限公司打造，总建筑面积约25万平方米，分两期规划建设。其中一期建筑面积18万平方米，包括2栋高层研发楼、1栋多功能展示大厅和9栋研发生产厂房，重点承接泛半导体领域企业的研发验证、中试试验及小规模适应性生产。
招商进展方面，目前蔚能电池等多家企业已完成签约，即将入驻一期，业务范围覆盖化合物半导体、先进封装、高端装备、新能源电池等领域。其中，蔚能电池租赁整层约4000平方米厂房，将在此落地电池正极材料修复中试线，设计年产能约2000吨。该中试线的建设，有望为新能源电池材料的循环再生利用提供重要的试验验证平台。
二期项目总建筑面积约7.2万平方米，可提供约5.2万平方米高洁净度等级生产车间。为适配泛半导体企业量产线建设需求，二期厂房单层最大面积约1.2万平方米，同时配套建设特气站、大宗气站、多品类化学品库、综合动力站等公用设施，能够为入驻企业集中供应半导体工艺所需的超纯水、冷热源等关键资源。
按照建设计划，二期将于2027年6月完成厂房主体结构和配套站房施工，同年12月完成产线设备联调联试并正式投用，后续将重点面向半导体设备、材料和零部件等产业链环节企业开展招商。
产业园周边已聚集TCL华星、天马微电子、安扬激光、国创科等一批企业，覆盖新型显示、智能制造等产业方向，待园区整体投用后，将进一步融入区域产业生态，缩短入驻企业与链上龙头企业之间的物理协作距离。
原标题：光谷高端微电子器件产业园一期建成
浙公网安备 33010602000006号
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