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时芳芳

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  • 可控硅原理

    可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
  • 可控硅特性

    可控硅特性可控硅*阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和*阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当*阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
  • IPM小功率单相智能变频器的设计

    1引言单相交流感应电机的变频调速在许多消费类产品(电扇、洗衣机等)及工业类产品(鼓风机、泵等)中应用广泛,人们可以使用单相通用变频器,但通用变频器价格较高,结构复杂,体积较大,只能安装在电机外部,既增加了使用的不方便,过多的设定功能又造成了浪费。因此,本文设计了一种小型的单相电机智能变频控制电路,它只需一块ic控制器ml4421,一块ipm功率放大驱动模块,一些电容电阻,无需软件开发,结构简单,体积小,还可以放入一般的感应电机内,即可以实现变频器机电一体化,又增加了安装使用的方便。2控制电路设计
  • 基于SG3525的开关电源设计及驱动模块SKYPER32PRO

    1引言随着电子技术的高速发展,电子设备的种类与日俱增。任何电子设备都离不开可靠的供电电源,对电源供电质量的要求也越来越高,而开关电源在效率、重量、体积等方面相对于传统的晶体管线性电源具有显着优势。正是由于开关电源的这些特点,它在新兴的电子设备中得到广泛应用,已逐渐取代了连续控制式的线性电源。图1功率主电路原理图2功率主电路本电源模块采用半桥式功率逆变电路。如图1所示,三相交流电经EMI滤波器滤波,大大减少了交流电源输入的电磁干扰,同时防止开关电源产生的谐波串扰到输入电源端。再经过桥式整流电路、滤
  • 双向可控硅的设计及应用分析

    引言1958年,从美国通用电气公司研制成功*个工业用可控硅开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。可控硅分单向可控硅与双向可控硅。单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。双向可控硅一般用于交流调节电路,如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制。双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是目前比较理想的交流开关器件,一直为家电行业中主要的功率控制器件。近几年,随着半导体技术的发展,
  • IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究

    通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用关键词:IGBT;驱动保护电路;电源IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。但是,IGBT和其它电力电子器件一样,其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此,IGBT的驱动和保护电路是电路
  • 高性能IGBT提高太阳能逆变器效率

    专家估计,市场每年对太阳能逆变器的需求大约增长30%;消费者需要更便宜的电子设备,降低产品成本的一个重要途径就是提高太阳能逆变器的效率。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)能够帮助产品设计者应对他们所面临的设计具有更高电路效率和性能的产品的挑战。这类器件也称为电导调制场效应晶体管(CMFET),是MOSFET的近亲,主要在各种应用中用作电源开关。这些电压控制的器件在市场上随处可见,在开关电源设备中采用合适的IGBT代替类似的MOSFET器件能够提高能效,降低产品成本。一些供应商的产品及其广泛应用例如,
  • 基于2SD31I-33模块的IGBT驱动保护电路设计

    摘要:IGBT驱动保护电路是IGBT可靠、稳定、运行的基础,也是IGBT所构成系统可靠运行所*的。本文所提出的IGBT驱动保护电路是应用于二极管箝位式的三电平变频器当中,在介绍IGBT主要特性的前提下,介绍应用CONCEPT公司的2SD315模块设计具有高可靠性、高集成度,率等特点的IGBT驱动保护电路,zui后给出以型号为2SD31I-33驱动模块的实际驱动电路。关键词:IGBT,驱动电路,三电平变频器,2SD3151、引言IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor
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