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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机
北京佳鑫恒益科技有限公司是一家专业经营电力电子器件、代理销售功率模块、IGBT模块、整流桥模块、可控硅模块、智能IGBT模块(三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、东芝(TOSHIBA)、西
变频器(Variable-frequencyDrive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流
可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductormodule)。zui早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半
学会IGBT的基础知识1.IGBT模块的术语及其特性术语说明集电极、发射极间处于交流短路状态,在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上电压时,栅极、发射极间的电容2.IGBT模块使用上的注意事项1.IG
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOS
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉
变频器(Variable-frequencyDrive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展zui迅速,应用zui广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。*代电子产品以电子管为
整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带
北京佳鑫恒益科技有限公司是一家专业经营电力电子器件、代理销售功率模块、IGBT模块、整流桥、可控硅、智能IGBT模块(三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、东芝(TOSHIBA)、西门子(SIEMENS)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、三社(SANREX)、日立(HITACHI)、三肯(SANKEN)、IR、IXYS、VICOR、LAMBDA等世界厂商产品。产品覆盖I...
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