北京东菱宏博电气科技发展有限公司 销售高瑞华：

由于平板IGBT用压接替代了焊接工艺，其结构发生了根本改变，和焊接型IGBT相比，优点如下：

1.全压接平板多台架IGBT的多台架结构便于IGBT芯片和FRED芯片的并联和反并联，根据需要，易于大电流IGBT的制造。

   2.全压接平板多台架IGBT的芯片不用焊接和键合工艺，全部用压力连接(简称全压接)方式引出发射极、集电极和栅极。电极引出牢固，提高了抗冲击振动和耐疲劳的能力。*解决了用焊接和键合工艺引出电极的IGBT模块抗冲击振动和耐疲劳差的问题，不适用于高可靠的航空航天、*、高压直流输电等领域，拓宽了IGBT的应用领域。

3.全压接平板多台架IGBT采取全压接引出电极，即IGBT的发射极和集电极均直接和散热器靠压力连接在一起，栅极也采用压接引出。电极引出牢靠，进一步提高了抗震性能和抗冲击性能。在焊接型IGBT木块中，芯片的集电极、发射极和栅极分别用焊料焊接和用铝丝键合连接，由于焊料的热疲劳和键合的零克点(失重和超重下，会出现开焊铝丝断裂)的隐患，焊接IGBT在航空、航天领域的应用受到了限制。

4. 全压接平板多台架IGBT采用可冷压焊的陶瓷外壳替代了硅凝脂、环氧树脂的密封方法，使得IGBT模块具有优越的密封性能，封接气密性≤1×10-9 Pam/s，可以很好地适应潮湿、盐雾等野外恶劣工作环境。

5. 全压接平板多台架IGBT有利于IGBT高频性能的发挥。IGBT器件是一种可以在高频下工作的大功率原件，因此要求尽可能的减少IGBT模块内部的分布电感。平板IGBT模块中，由于省掉了IGBT芯片与电极间的铝丝，缩短了元件与电极间的电流通路，也大大减少了元件内部的分布电感，使得器件的高频工作性能会更好。

6. 全压接平板多台架IGBT更适合高压IGBT的封装。由于模块中，两个主电极即集电极和发射极之间的爬电距离要远大于焊接IGBT模块的爬电距离，因此全压接平板多台架IGBT更适应于高电压大电流的工作条件。