STD1703LT4 STD17NF03LT4 ST代理商 意法半导体 返回列表页

数据列表STD17NF03LT4 标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族FET - 单系列STripFET? II其它名称STD1703LT4 STD17NF03LT4

规格
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）50 毫欧 @ 8.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 封装D-Pak 

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FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）50 毫欧 @ 8.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 封装D-Pak 

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FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）50 毫欧 @ 8.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）2.2V @ 250?A不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）320pF @ 25V功率 - zui大值30W工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 封装D-Pak