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产品简介
KRI 射频离子源属于大面积射频离子源, 离子束流: >350 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量（Typical flow）:5-30 sccm
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
产品介绍
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 100, 离子束可聚焦, 平行, 散射.
KRI 射频离子源属于大面积射频离子源, 离子束流: >350 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
适用于离子溅镀和离子蚀刻, 实现薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数:
型号 | RFICP 100 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >350 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 10 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 23.5 cm |
直径 | 19.1 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域:
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生
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