KMT32B磁场角度传感器 返回列表页

KMT32B磁场角度传感器

 KMT32B磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如，它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥，每个电桥可以测量45角度。KMT32B磁阻传感器的工作原理是一个平行于芯片表面（X-Y平面）的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个是cos（2a），另一个是sin（2a），a是传感器和磁场方向的夹角。

KMT32B磁阻传感器具有无接触角度定位，SMD封装，设计线性优化，低成本，高精度，宽工作温度范围（-40到+150，+160℃），低功耗，符合RoHS,适合恶劣环境，达到30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。

 技术指标

KMT32B磁阻传感器　

类型：角度传感器

量程：－

精确度： 0.05deg

输出：频率输出

供电电源： 5V

工作温度： -40℃~+150℃

电气连接： PC板安装

特点：霍尔效应

典型应用：编码器，电动机，方向舵，角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器

KMT32B磁场传感器适合在低磁场强度下的高精度角度测量应用。（通常H0=25kA/m,可以在降低精度应用中到H0=8kA/m;注意地球磁场强度）