脑电监测芯片

脑电监测芯片产品特性
全集成式双导联心电监测芯片
低电源电流：1mA
单电源供电：3.3V
双金属干电极配置 / 电极脱落检测 / 高信号增益、低噪音模拟前端
低噪声、低失调电压的斩波高通放大电路
截止频率受温度影响小且可自校准的高阶低通滤波器
自动增益控制环路 / 12位逐次比较型模数转换器（ADC）
集成DSP数字信号处理器 / 集成高阶数字陷波器、低通滤波器

• 集成心电信号处理算法 / 集成心率算法
• 数字信号输出：FIFO-UART串行接口通信，波特率57600 Bd/s技术规格除非另有说明，Vs = 3.3V， T = 25°C。

  参数	符号	测试条件/注释	小值	典型值	大值	单位
  输入电压范围	Vdd	T=25°C	-0.1	3.3	3.6	V
  工作电流消耗	I			1.2		mA
  静态电流消耗		T=25°C				uA
  内部基准电压				1.2		V
  内部模拟电源电压				1.8		V
  内部数字电源电压				1.8		V
  输入脚电压范围		INP与INN输入电压，差分模式				mA
  低端截止频率		-3dB对应频率处		0.5		Hz
  截止频率		-3dB对应频率处		100		Hz
  共模抑制比				80		dB
  输入阻抗				10		M Ohms
  电源抑制比				80		dB
  模数转换器位数				12		Bit

脑电监测芯片