特点：

1、高产能、高速率

2、高可靠性、高均一性

3、寿命长、易维护保养

4、高性价比

5、优良的

6、优良的服务

【HT2000F型外延生长炉】

   HT2000F实现了高品质的厚膜生长和阻抗的均一性，具有高效率、环保节能的特点，是6 - 8寸半导体硅片上外延生长厚膜的理想装置。

  在引入崭新的设计理念和核心技术的背景下，HT2000F具有如下突出的优势和特点：

1、 可实现8寸硅片上150um以上厚膜的高速生长（>8um/min）

2、 垂直向的气体流向控制

3、 高速的硅片旋转

4、 多腔构造（multi-chamber）

5、 对应于新/旧能源发电、混合动力车等新兴领域不断高涨的需求而提出的功率半导体器件的高耐压、高性能化，HT2000F使用了高精度的面状加热器，同时实现了品质的提升和成本的下降

6、 成膜速度和气体利用效率比其它市场产品快2 - 3倍！同时，以近一半的耗电量（<120kVA）实现生产成本30%以上的削减

7、 品质方面的指标：

a）        面内膜厚均一性：<±1%

b）        面内电阻率均一性：      <±3%

c）        批内膜厚均一性：<±1%

d）        批内电阻率均一性：      <±3%