ALD原子层沉积系统

ALD原子层沉积系统

现场升级到可使用等离子体

从小晶片到200mm大晶片

适用于学术、产业、研发的热和/或等离子体化学产品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金属： Ru, Pt

ALD应用举例：

纳米电子学

高k栅极氧化物

存储电容器绝缘层-铜连线间的高纵横比扩散势垒区

有机发光二极管和聚合物的无针孔钝化层

钝化晶体硅太阳能电池

应用于微流体和MEMS的高保形涂层

纳米孔结构的涂层

生物微机电系统

燃料电池

直观性强的的软件提高性能

使用与牛津仪器的值得信赖的Plasmalab ®产品家族相同的软件平台， OpAL的程序驱动、多用户级别、PC2000TM控制的软件易于操作且可为快速ALD做相应修改。

 ALD原子层沉积系统                

牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供沉积工艺解决方案的经验为我们提供了世界上强大沉积工艺库和沉积工艺能力。以下是牛津仪器等离子技术可以提供的一些沉积工艺的一个范例。讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的沉积工艺和工具，以满足您的需求。

电介质

沉积SiO2—沉积二氧化硅

沉积SiN—沉积氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术

金属氮化物

沉积HfN—沉积氮化铪（远程等离子体*辅助）

金属氧化物

沉积Al2O3-沉积三氧化二铝

高品质光学镀膜：二氧化硅，*，五氧化二钽

二氧化铪反应离子束沉积（HfO2 RIBD）

沉积La2O3—沉积氧化镧

离子束沉积VaO( 5 - x )--沉积氧化钒 Deposition

沉积TiO2—沉积*—离子束沉积

ZnO ALD（单热型）—沉积氧化锌原子层

沉积ITO—沉积铟锡氧化物—磁控溅射

金属

溅射沉积Al—溅射沉积铝

沉积Ru—沉积钌

其他

沉积a-Si—沉积非晶硅（等离子体增强化学气相沉积）

等离子体增强化学气相沉积和化学气相沉积SiGe—沉积锗硅

沉积PolySi—沉积多晶硅

沉积SiC—沉积碳化硅

等离子体增强化学气相沉积DLC—沉积类金刚石膜