晶体生产用超纯水设备

晶体管主要材质为半导体，从1947年被研制成功后，发展至今，被广泛融入到生活当中。晶体管主要被用于开关、信号调试等领域。由于其半导体的材质介于导电和不导电之间，因此晶体管的制备选用不导电的超纯水。超纯水设备操作简单，占地面积小，运行过程中几乎将水中的杂质*除去，出水不导电，符合晶体管生产的用水需求，是电子行业的重要设备之一。 

晶体生产用超纯水设备性能优势: 

1、日常保养，操作简单、劳动强度低。 

2、无污染物排放，既环保又省去了废液处理的投资。 

3、可连续，稳定地生产高品质纯水，无需因树脂再生而停机。 

设备结构紧凑，占地面积小，节约空间，同时还具有节能优点。 

晶体生产用超纯水设备污染物对设备效果的影响: 

　　1、氯和臭氧会氧化离子交换树脂和离子交换膜，引起EDI组件功能减低。氧化还会使TOC含量明显增加，污染离子交换树脂和膜，降低离子迁移速度。另外，氧化作用使得树脂破裂,通过组件的压力损失将增加。铁和其它的变价金属离子可对树脂氧化起催化作用，*地降低树脂和膜的性能。 

　　2、对晶体管生产用超纯水设备影响较大的污染物包括硬度离子、有机物、固体悬浮物、氧化剂和二氧化碳以及细菌等。设计超纯水系统时应在超纯水的预处理过程除掉这些污染物。在预处理中降低这些污染物的浓度可以提高超纯水的性能。 

　　3、硬度离子能在反渗透和EDI单元中引起结垢。结垢一般在浓水室膜的表面发生，该处pH值较高。此时，浓水入水和出水间的压力差增加，电流量降低。组件设计采取了避免结垢的措施，可使入水硬度降到小将会延长清洗周期并且提高超纯水系统的利用率。悬浮物和胶体会引起膜和树脂的污染和堵塞，树脂间隙的堵塞导致EDI组件的压力损失增加。 

　　4、二氧化碳有两种效果。首先，CO32-和Ca2+、Mg2+形成碳酸盐类结垢，这种垢的形成与给水的离子浓度和pH有关。其次，由于CO2的电荷与pH值有关，而其被RO和EDI的去除都依赖于其电荷，因此它的去除效率是变化的。即使较低的CO2都能显著地降低产品水的电阻率。