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江苏誉优电子科技有限公司
封装 | IGBT-2 |
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英飞凌 FF450R12KT4
1200 V, 450 A 双 IGBT 模块
62mm C-Series 1200 V, 450 A 双IGBT模块,采用第四代高速沟槽栅/场终止 IGBT4 和优化的发射极控制二极管,是您设计的理想选择。它也适用于热界面材料。
特征描述
变频逆变器的解决方案
UL/CSA 认证,以及 UL1557 E83336
工作温度不超过 150°C
优化开
我们提供了多种IGBT产品系列。这些IGBT广泛应用于汽车、牵引、工业和消费类领域。在正向和阻断状态下,我们的IGBT功率损耗极低,仅需低驱动功率便可发挥高效率。IGBT可承受电压高达6.5 kV,工作频率为2 kHz 至 50 kHz。
借助广泛的技术组合优势,IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力,可实现超低功耗。
针对具体应用的不同需求,英飞凌开发了完善的分立式IGBT系列产品。较强的针对性使器件能在特定应用中处于佳工作状态,有利于提品质标准。英飞凌提供业界专业性强的分立式IGBT器件,帮您实现理想的应用性能。
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