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专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关

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具体成交价以合同协议为准
  • 型号 GDAS51
  • 品牌
  • 厂商性质 生产商
  • 所在地 滁州市

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更新时间:2022-08-19 17:18:57浏览次数:310

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产品简介

专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关。
古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性,由此构成一个电桥电路,振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时,电桥处于平衡状态,没有输出信号,而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时,由于被测介质的电特性与空气不同,会引起电桥电路的不平衡,从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

详细介绍

专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关

专业生产古大GDAS51射频导纳物位开关

GDAS51射频导纳物位开关

一、产品原理及应用

古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性,由此构成一个电桥电路,振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时,电桥处于平衡状态,没有输出信号而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时,由于被测介质的电特性与空气不同,会引起电桥电路的不平衡,从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。

二、产品参数

探测组件材料: PPS/不锈钢 316L 过程温度: -50~150°C

过程压力: -1.0~64bar

信号输出: 一个单刀双掷继电器,

接点容量 250V/5A

过程连接: G¾A

长度: 0.4~3m; 0.3~10m供电方式: 24V DC±10% 220V DC±10%

三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表

GDAS51

选型代码

 

仪表种类

A

高精度、高稳定性

B

高稳定性

C

中等普通工业用

D

一般工业用

供电电压

A

24V

B

220V

 

电缆进线

M

M20×1.5

N

½NPT

T1

特殊要求

 

现场显示

A

X

不带

T2

特殊要求

 

带散热片/过程温度

A

带/-40 C....+150 °C

X

不带/-40 C....+80 °C

T3

特殊要求

长度(mm)

A

四位数字

T4

特殊要求

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