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SIC单晶炉

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更新时间：2020-10-26 10:53:09浏览次数：481次

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磐石创新（江苏）电子装备有限公司

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产品简介

SIC单晶炉是针对碳化硅单晶生长工艺设备，也可用于氮化铝的单晶生长工艺。

详细介绍

SIC单晶炉是针对碳化硅单晶生长工艺设备，也可用于氮化铝的单晶生长工艺。

SIC单晶炉设备特点

· 设备采用高频电源感应加热、水冷感应线圈，水冷箱及高温密封，并具备对生长室内的高真空度进行检测、温度的精确测量、加热过程的程序化控制，石墨坩埚与感应加热线圈之间相对位置的调节以及Ar等多种气体的定量定压供给等功能，使设备在冷却、隔热和抗电磁辐射等方面有着非常好的效果；
· 设备为晶体生长提供一个理想的工艺环境条件，保证SiC晶体的稳定生长；
· 设备可以有效的避免加热装置对晶体的污染，同时也相对增加了工作空间。

技术参数

加热温度	温度2500°C
高周波电源	50kw，7-15KHz
温度测量	利用上下红外放射温度计测温
控制方式	线圈电流控制(ACC)、放射温度计控制(ATC)
温度控制精度	手动方式
气氛	士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC)
极限圧力	真空、Ar 、N2
圧力控制范围	1.33x 10-3Pa (常温空妒时) (133～101) x105 Pa士0.1%FS，低圧侧 1.0～100.0士0.1 Torr，高圧侧100～760士5 Torr