深圳市国频电子有限公司
下行功放(0.5/1/2/5/8/10W)
工作频段 | 2130-2145 |
增益 | 45dB±1dB (@温度范围内) |
输出功率 | 27/30/33/37/39/40±1dBm |
ALC范围 | 20dB(输入功率增加20dB,输出功率变化保持在±1dB范围内) |
ATT范围 | 30dB(精度0~20±1dB,20~30±1.5dB,步进1dB) |
驻波 | ≤1.3:1 |
指标 | 满足杂散模板 |
带内波动 | ≤1.5 |
杂散发射 | 9kHz~1GHz: ≤-40dBm, 1GHz~12.75GHz: ≤-36dBm |
供电 | +27V穿心电容入,带地片;电流≤3.5A |
工作温度 | -25℃~+55℃ |
接头 | SMA-KF |
I/O口 | P1~5:对应功放1、2、4、8、16dB衰减,高电平有效 |
上行低噪放
工作频段 | 1945-1955MHz |
增益 | 45dB±1dB (@温度范围内) |
输出功率 | Po=-5±1dB |
DGC范围 | 30dB(精度0~20±1dB,20~30±1.5dB,步进1dB) |
指标 | 满足杂散模板 |
带内波动 | ≤1.5 |
驻波 | ≤1.3:1 |
噪声系数 | ≤3dB |
杂散发射 | 9kHz~1GHz: ≤-90dBm, 1GHz~12.75GHz: ≤-85dBm |
接头 | SMA-KF |
供电 | +12V穿心电容入,带地片;电流≤800mA |
工作温度 | -25℃~+55℃ |
结构型式 | 161*100*30 |