深圳市国频电子有限公司
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具体成交价以合同协议为准产品介绍
下行功放（2/5/10/20W）
| 工作频段 | 870-880 |
| 增益 | 45/45/47/47dB±1dB （@温度范围内） |
| 输出功率 | 33/37/40/43dBm |
| ALC范围 | 20dB（输入功率增加20dB，输出功率变化保持在±1dB范围内） |
| ATT范围 | 30dB（精度0～20±1dB，20～30±1.5dB，步进1dB） |
| 驻波 | ≤1.3:1 |
| IMD3 | ≤-47dBc |
| ACPR@ | 750kHz≤-45dBc/30kHz，1.98MHz≤-60dBc/30kHz |
| 带内波动 | ≤1.4 |
| 杂散发射 | 9kHz～1GHz: ≤-40dBm, 1GHz～12.75GHz: ≤-36dBm |
| 供电 | ＋27V穿心电容入，带地片； |
| 工作温度 | -25℃～+55℃ |
| 接头 | SMA-KF |
| I/O口 | P1～5：对应功放1、2、4、8、16dB衰减，高电平有效 |
上行低噪放
| 工作频段 | 825-835MHz |
| 增益 | 47dB±1dB （@温度范围内） |
| 输出功率 | Po＝0±1dB |
| DGC范围 | 30dB（精度0～20±1dB，20～30±1.5dB，步进1dB） |
| 指标 | 满足杂散模板 |
| 带内波动 | ≤1.5(SAWF) |
| 驻波 | ≤1.3:1 |
| 噪声系数 | ≤1.5dB |
| 杂散发射 | 9kHz～1GHz: ≤-90dBm, 1GHz～12.75GHz: ≤-85dBm |
| 接头 | SMA-KF |
| 供电 | ＋12V穿心电容入，带地片；电流≤800mA |
| 工作温度 | -25℃～+55℃ |
| 结构型式 | 161*100*30 |
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