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深圳瑞兆来科技有限公司
封装 | TO-263 | 晶体管类型 | 场效应晶体管 |
---|---|---|---|
批次 | 2120+ |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
优势
优化分销合作伙伴的广泛可用性
根据 JEDEC 标准进行产品验证
针对10V栅极驱动电压进行了优化(称为正常电平)
硅片针对低于<100KHz的应用进行了优化
与上一代产品相比,体二极管更加柔软
工业标准通表面安装功率封装
高电流承载能力封装(高达195A,芯片面积可变化)
可用于波焊
品牌: | infineon/英飞凌 |
型号: | IRFS7537TRLPBF |
封装: | TO-263 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 173A(Tc) |
驱动电压(Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻: | 3.3 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th): | 3.7V @ 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg): | 210 nC @ 10 V |
Vgs: | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss): | 7020 pF @ 25 V |
功率耗散: | 230W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
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