当前位置：深圳瑞兆来科技有限公司>>场效应管>>集成电路、场效应管

集成电路、场效应管

返回列表页

参考价

面议

具体成交价以合同协议为准

产品型号IRFR9024NTRPBF

品牌英飞凌/Infineon

厂商性质经销商

所在地深圳市

在线询价收藏产品

更新时间：2022-06-10 10:15:34浏览次数：328次

联系我时，请告知来自智能制造网

产品分类 品牌分类

  场效应管
  IGBT晶体管
  DC/DC转换器

  英飞凌/Infineon
  其他品牌

深圳瑞兆来科技有限公司

经营模式：经销商

商铺产品：21条

所在地区：广东深圳市

联系人：方奕珊（销售经理）

询价 给他留言

产品简介

封装	TO-252	晶体管类型	场效应晶体管
批号	2126+

-55V 单个 P 通道 IR MOSFET, 采用 D-Pak 封装
IR MOSFET系列功率MOSFET采用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电应用。该设备有多种表面贴装和通孔封装，具有行业标准的封装外形，便于设计。

详细介绍

晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

型号：	IRFR9024NTRPBF
批号：	21+
封装：	SOT-252
制造商：	Infineon
产品种类：	MOSFET
RoHS：	是
安装风格：	SMD/SMT
封装/箱体：	TO-252-3
通道数量：	1 Channel
晶体管极性：	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压：	55 V
Id-连续漏极电流：	11 A
Rds On-漏源导通电阻：	175 mOhms
Vgs -栅极-源极电压：	20 V
Qg-栅极电荷：	12.7 nC
Pd-功率耗散：	38 W
配置：	Single
高度：	2.3 mm
长度：	6.5 mm
晶体管类型：	1 P-Channel