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深圳瑞兆来科技有限公司
封装 | TO-247 | 晶体管类型 | 场效应晶体管 |
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批号 | 21+ |
600V CoolMOS™ C3 替代产品是 CoolMOS™ P7
600V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。
特征描述
• 特定导通电阻低(RDS(on)* A)
• 输出电容为(E oss)@ 400V 时,能量储存非常低
• 低栅极电荷(Qg)
• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量
• 自1998年以来,英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术
优势
• 高效率,高功率密度
• 超高成本/性能比
• 高可靠性
• 使用方便
潜在应用
• 服务器
• 通信
• 消费品
• 计算机电源
• 适配器
型号: | SPW47N60C3 |
封装: | TO-247 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 47 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 70 mOhms |
Vgs -栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.1 V |
Qg-栅极电荷: | 252 nC |
工作温度: | - 55 C + 150 C |
Pd-功率耗散: | 415 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 21.1 mm |
长度: | 16.13 mm |
系列: | CoolMOS C3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5.21 mm |
下降时间: | 8 ns |
上升时间: | 27 ns |
典型关闭延迟时间: | 111 ns |
典型接通延迟时间: | 18 ns |
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