产品简介
光伏型InSb锑化铟探测器是由使用单晶材料的mesa技术形成的p-n结。该工艺生产的光电二极管高，在1μm至5.5μm波长范围内具有优异的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）探测器，它们的性能可以通过减少背景噪声（冷却FOV停止）或光谱（冷却干扰滤波器）来增强。
产品介绍
光谱特性
光伏效应是当特定波长的辐射入射到p-n结上时，p-n结上产生的电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能量，就会形成电子-空穴对。
电场将电子从p区扫向n区，空穴从n区扫向p区。该过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。它由一个信号和噪声电流发生器以及一个电阻和电容项组成。
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到工作点：零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器来实现，比如我们的IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声限制模式下运行。需要双输出电源。
Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors
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Model Number | FOV=60O, (λpk,1000,1) | Std. Pkg. | Std. Window | Active Area Element (mm) | D* (cmHz1/2W-1) | Responsivity (λp) | Resistance (Rd) (Ω) | Capacitance (Cd) (pF) | Short Circuit Current Isc (µA) | Open Circuit Voltage Vcc (mV) | Operating Temp. (K) | IS-0.25 | q.25/.25x.25 | > 1.0E11 | > 3 A/W | 1000K | 70 | 0.9 | 80
to
125 | 77 | MSL-8
MSL-12
or
MDL-8
MDL-12 | Sapphire | IS-0.5 | q.5/.5x.5 | 500K | 100 | 2 | IS-1.0 | q1/1x1 | 300K | 350 | 8 | IS-2.0 | q2/2x2 | 100K | 1500 | 30 | MSL-8 Side Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MSL-12 Side Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time | MDL-8 Down Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MDL-12 Down Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time |
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具体成交价以合同协议为准
