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可控硅控制器 HHB12-1 京仪仪器

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所  在  地北京市

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更新时间:2022-08-06 13:04:23浏览次数:43次

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可控硅控制器 HHB12-1 京仪仪器
技术参数
1 触发输出(十二路脉冲,每路双脉冲)
脉冲宽度:>1.0ms
脉冲电流峰值:>800mA
桥内各相脉冲不均衡度:≤1°
桥间脉冲整定范围:-10 — +10°
移相范围:0—170°

可控硅控制器 HHB12-1 京仪仪器

技术参数
1 触发输出(十二路脉冲,每路双脉冲)
脉冲宽度:>1.0ms
脉冲电流峰值:>800mA
桥内各相脉冲不均衡度:≤1°
桥间脉冲整定范围:-10 — +10°
移相范围:0—170°
输出隔离电压:小于AC600V(用于主电路电压小于600V的装置)
2 调节特性(电流电压双调节)
恒压、恒流精度:优于1%
调节时间:0.1S
3 反馈参数
电压反馈输入:直流15V,内阻6K。
电流反馈输入:直流分流器 75mV,内阻1KΩ。
电流传感器 直流5V,内阻50K。
注:上述反馈量值是额定输出时的反馈值。
反馈电路和内部电路不隔离,如果需要隔离时或者反馈的极性与本电路不符,那么必须外接隔离模块。
4 输入控制电压:0 — -10V
5 控制输入:
运行:接点闭合运行,接点开路停止。
连锁:接点闭合禁止运行。
6 保护特性
  过流保护整定范围:额定负载电流的70—150%
 过压保护整定范围:额定电压的70—150%
7 工作环境
  环境温度:-25—+40℃
  相对湿度:<85%
8 电源:三相380V±10%,50Hz。
9 整机功耗:<10W
10 外型尺寸:264×170×60(详见附图2)
11 重量:1.5Kg


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