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GSL-PECVD-300化学气相沉积

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更新时间：2023-03-01 11:31:34浏览次数：223次

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沈阳科晶自动化设备有限公司

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产品简介

GSL-PECVD-300化学气相沉积

详细介绍

产品简介：GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术，基本温度低，沉积速率快，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

产品型号	GSL-PECVD-300化学气相沉积
安装条件	本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电：AC380V 50Hz，必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备实验所需气体气瓶（自带Ø10mm双卡套接头）及减压阀 4、场地：设备尺寸2200×2000mm×1500mm，承重1000kg以上 5、通风装置：需要
主要特点	1、所需成膜温度低 2、沉积速率快，应用广泛 3、体积小，操作简便 4、采用射频为增强源易于控制 5、清理安装便捷。 6、一体化触摸屏控制
技术参数	1、系统采用单室筒式结构，手动前开门； 2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口，并带挡板，真空有效尺寸为Φ300mm×300mm； 3、极限真空度：≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用4L/S)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，40分钟可达到；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa； 4、采用样品在下，喷淋头在上的电容式耦合方式进气； 5、样品加热加热温度：500℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控温； 6、喷淋头尺寸：Φ90mm，喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调（可根据工艺调整），并带有标尺指数显示； 7、沉积工作真空：0.133-133Pa（可根据工艺调整）； 8、射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配； 9、.气体种类（用户提供），使用质量流量控制器控制进气。 10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。
产品规格	整机尺寸：1200x1500x1500mm；
标准配件	1	电源控制系统	1套
	2	真空机组	1套
	3	真空测量	1套