这款
硅光电探测器,silicon photodetectors是
硅光探测器,硅光检测器,具有超高响应速度,适合高速
激光探测。 硅光电探测器具有较大通光孔径可以接收直径10mm的激光光束，配置螺纹孔方便安装滤波片、衰减器、光纤适配器或其他光学元件，满足用户的特定需要。
硅光电探测器都有NIST可追踪校准和单独的波长校正,是探测210~1650nm低功率连续激光的理想硅光探测器。用户可以选择一种我们公司的激光衰减器,扩展硅光探测器的功能,以测量更高的激光功率。OD1的透过率10%， OD2的透过率是1%。当同时购买时，探测器是校准过的，不带衰减器。
硅光电探测器11PH特点 大口径设计,硅感光区域直径达10mm
提供三个版本型号
硅SI:350~1080nm, 达750mW；
硅-紫外（SiUV）版本：210~1080nm, 达25 mW；
锗版本：800~1650nm, 达500mW。
可供选择的衰减器有：
OD0.3: 50%透过率（只用于11PH100-SiUV版本）；
OD1: 10%透过率；
OD2: 1%透过率。
检测精度高,新型11PH100-Si-HA版本具有校准精度
用于精确校准,波长步进高达1nm
有智能接口，包含所有的校准数据。
硅光电探测器规格参数 | Model | 11PH100-Si-HA | 11PH100-SiUV | 11PH20-Ge |
平均功率
(标配 /带衰减器OD2) | 36 mW / 750 mW | 4 mW / 30 mW | 30 mW / 500 mW |
| 有效孔径 | 10 mm Ø | 10 mm Ø | 5 mm Ø |
| 测量能力 |
| 光谱范围 | 350 – 1080 nm | 210 – 1080 nm | 800 – 1650 nm |
| 配衰减器OD0.3 | --- | 210 – 1080 nm | --- |
| 配衰减器OD1 | 420 – 1080 nm | 400 – 1080 nm | 900 – 1650 nm |
| 配衰减器OD2 | 630 – 1080 nm | --- | 950 – 1650 nm |
| 可可测功率 a | 36 mW @ 1064 nm | 4 mW @ 532 nm | 30mW @ 1064nm |
| 配衰减器OD0.3 | --- | 11 mW @ 300 nm | --- |
| 配衰减器OD1 | 300 mW @ 1064 nm | 25 mW @ 532 nm | 300mW @ 1064nm |
| 配衰减器OD2 | 750 mW @ 1064 nm | --- | 500mW @ 1064nm |
| 噪音等效功率 b | 10 pW @ 980 nm | 10 pW @ 850 nm | 60pW @ 1550nm |
| 上升沿时间 | 0.2 sec | 0.2 sec | 0.2 sec |
| 峰值灵敏度 | 0.5 A/W @ 980 nm | 0.45 A/W @ 850 nm | 0.98A/W@1550nm |
| 校准不确定性 | ±6.0 % (350 - 399 nm)
±2.0 % (400 - 449 nm)
±1.5 % ( 450 - 940 nm)
±2.0 % (941 - 980 nm)
±5.0 % (981 - 1049 nm)
±7.0 % (1050 - 1080 nm) | ±8 % (200 ~219nm)
±6.5 %(220~399nm)
±2.5%(400~899nm)
±3.5% (900~999nm)
±5%(1000~1049nm)
±7%(1050~1080nm) | ±3.5%(800~1650nm)
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校准不确定性
(带衰减器OD filters) | ±4.0 % (420 - 980 nm)
±5.0 % (981 - 1049 nm)
±7.0 % (1050 - 1080 nm) | ±6.5%(210 ~399nm)
±5%(400 ~1049nm)
±7%(1050~080nm) | ±5 % |
| 激光损伤阈值 |
| 功率密度 | 100 W/cm2 | 100 W/cm2 | 100 W/cm2 |
| 外形尺寸 |
| 有效孔径 | 10 mm Ø | 10 mm Ø | 5 mm Ø |
| 尺寸 | 38.1O x 27.4D mm | 38.1O x 27.4D mm | 38.1O x 27.4D mm |
| 重量(仅头部) | 130 g | 130 g | 130 g |
规格参数可能变更,变更将不另行通知
a. 值取决于功率计表头或监视器
b. 标值,取决于环境电磁干扰和波长
