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特点:• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶,操作简单• 涂胶厚度:40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶于水,非常容易去除,且不损伤衬底材料• 对紫外光、电子束不敏感,无需黄光室 5090.02,适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等。
特点:
• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应
• 通过旋涂的方式涂胶,操作简单
• 涂胶厚度:40nm @ 4000rpm
• 电子束曝光后可溶于水,非常容易去除,且不损伤衬底材料
• 对紫外光、电子束不敏感,无需黄光室
5090.02,适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等;
5091.02,适于酚醛树脂基电子束光刻胶,如AR-N 7520
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