GS1200-PECVD

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更新时间：2024-01-04 07:46:18浏览次数：144次

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产品简介

GS1200-PECVD等离子化学气象沉积设备介绍：本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜

详细介绍

GS1200-PECVD等离子化学气象沉积

设备介绍： 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

主要特点：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。