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亚纳秒瞬态吸收光谱仪

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更新时间:2023-04-09 08:19:23浏览次数:286次

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产品简介

产品介绍:主要用于测量:亚纳秒至微秒时域的瞬态吸收光谱,包括:基态漂白(GroundStateBleaching)、激发态吸收(ExcitedStateAbsorption)、系间窜越(Inter-systemCross)、三线态湮灭(Triplet-tripletannihilation)、三线态的生成与衰减(Raisetimeanddecaytime)等

详细介绍

产品介绍:

主要用于测量:亚纳秒至微秒时域的瞬态吸收光谱,包括:基态漂白 (GroundState Bleaching)、激发态吸收 (Excited State Absorption)、系间窜越 (Inter-system Cross)、三线态湮灭 (Triplet -triplet annihilation)、三线态的生成与衰减 (Raise time and decaytime)等;
        籍此分析光化学、光生物学、光催化或光物理过程中的瞬态能量转移、电子传递等信息。100 nJ(100 μW @1 kHz)低能量泵浦,对于有机光伏材料(OPV)、OLED、AIE材料的研究!350 - 2200 nm 波段,EOS的时间分辨率都是~1 ns。亚纳秒脉冲白光激光作为探测光,2000 Hz探测频率,CMOS光谱仪与探测光同步,采集~108时域范围3D光谱,要~20 - 60 min! 大光谱范围:350 - 2200 nm,标配 350 - 950 nm,可探测到典型的钙钛矿材料能级跃迁(~1.5 eV)。 探测光点~100μm,结合THS样品架,可做微区扫描。可升级为漫反射(Diffused reflectance)瞬态吸收光谱仪,内置Kubelka–Munk方程计算光吸收,漫反射与透射可切换使用。我们可提供包含亚纳秒激光器的系统解决方案,用于OPV、OLED、金属有机配合物等材料的电子转移、空穴复合等研究。

产品参数:

时间分辨率

<1 ns

最小延时步进

100 ps

时间窗口*

400 µs,1kHz 泵浦激光时

适合激光频率

10 - 1000 Hz

探测波长

350 – 2200 nm (可选:450 - 2400 nm)

Vis检测器

CMOS线阵列传感器

数量

2

像素

1024

响应波长

200 - 1000 nm

分辨率

2 nm (50 µm 狭缝时),4 nm (200 µm 狭缝时)

光谱范围

600 nm (通常: 350 - 950 nm)

采集速度

2400 条光谱/s(可选:10,000 条光谱/s),14bit

NIR检测器

InGaAs线阵列传感器 (选配)

数量

2

像素

256

响应波长

800 - 1600 nm

分辨率

5   nm (50 µm 狭缝时),13 nm (200 µm 狭缝时)

光谱范围

800 nm (通常: 800 - 1600 nm)

采集速度

2400 条光谱/s(可选:10,000 条光谱/s),14bit

SWIR检测器

InGaAs线阵列传感器 (选配)

数量

2

像素

256

响应波长

1000 - 2600 nm

分辨率

5 nm (50 µm 狭缝时),13 nm (200 µm 狭缝时)

光谱范围

800 nm (可用: 1600 - 2200 nm)

采集速度

2400 条光谱/s,14bit

数据格式

ASCII CSV (兼容Excel)

数据采集软件

EOS

数据分析软件

Surface Xplorer

光学模块体积 (长宽高)

915 X 610 X 250 mm3

电子模块体积 (长宽高)

534 X 610 X 686 mm3

* 时间窗和激光频率负相关,20Hz激光能够获得~48 ms 时间窗。

主要应用:

1.   染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子点)的超快电荷分离研究

2.   有机光电材料(OPV)的电荷分离、电子迁移

3.   钙钛矿光伏材料的电荷分离、电子传递

4.   半导体载流子迁移率非线性光吸收材料的激发态吸收

5.   有机发光材料(OLED)的单线态失活、系间窜越、生成三线态过程

6.   金属配位卟啉类材料

7.   光催化过程的超快电荷转移


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