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杭州大华仪器制造有限公司
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本装置由我公司和材料物理重点实验室联合研制，由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成
本装置由我公司和材料物理重点实验室联合研制，由温度控制系统、真空系统和单晶炉炉体等部分组成。
主要实验内容
1、制备金属氧化物类单晶，如 SrMoO3 等；
2、制备氧化物高温超导体，如钇钡铜氧等；
3、制备非氧化物单晶，如单晶硅、单晶碳化硅等；
4、在 1550℃以下大气、真空或气氛保护下进行单晶生长、材料热处理、固相反应材料合成等。
主要技术特点
1、一机多用，可开设多个综合性、研究性实验：既可制备氧化物类单晶，又可制备非氧化物类或厌氧类单晶，具有很高的性能价格比；
2、采用特殊的做炉膛保温材料，具有密度小，保温性能好等特点；
3、采用抽真空结合保护气氛，既可以抽真空，又可以通入不同的气体；
4、温度采用程序控制，实现智能化，温度可达：1550℃；温度梯度：约 5℃ /cm。
主要技术参数
1、电源 AC 220V50/60Hz；额定功率：5kW；
2、炉膛尺寸：Φ185mm×185mm；加热区尺寸：150mm；
3、温度控制范围：100 ～ 1600℃，控制精度 :±1℃，升温速率：10℃ /min；
4、报警保护：上、下限，正、负偏差 , 断偶等报警；
5、进气系统：一路质量流量控制器。
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