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上海德竹芯源科技有限公司
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动态二次离子质谱仪(D-SIMS)是使用一次离子束(通常是Cs源)轰击样品表面,而产生二次离子,然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比(m/q),从而得知元素在样品中的深度分布,是分析半导体掺杂和离子注入的有力的工具。
优势
● ULVAC-PHI 新设计的四极杆-二次离子质谱仪 ADEPT 1010,在原有的 PHI 6300 和 PHI 6600 的基础上,改善了离子光学系统,是在一次离子能量低至 250eV 时,仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统(D-SIMS)。
特点
● 大束流低能量离子枪设计,提高了深度分辨率
● 高性能离子光学系统,改善了二次离子传输效率,在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度
● 高精度全自动 5 轴样品操控台
● 不同方向进入检测器的二次离子,均可被高灵敏地收集检测
应用实例分析
● 采用一次离子源 Cs 在加速 5kV 束流为 100nA 的条件下,分析 GaAs 中注入的 H,C,O 元素。可以看到 H 检测限值 7.1 × 1016 atm/cm3,O 检测限值 4.4 × 1015 atm/cm3,C 检测限值 2.0 × 1015 atm/cm3。
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