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上海德竹芯源科技有限公司
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SI 500 PPD 等离子体增强化学气相沉积系统采用经典平行板电极设计，兼容低温沉积工艺。
等离子体增强化学气相沉积
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
SI 500 PPD PECVD 采用经典平行板电极设计，兼容低温沉积工艺。
主要配置特点
● 工艺灵活性：SI 500 PPD PECVD 可在从室温到 350℃ 的温度范围内进行 SiO2、SiNx、SiOxNy 和 α-Si 的标准的等离子体化学气相沉积工艺。
● 预真空室：SI 500 PPD PECVD 的特色是配备预真空室和干泵，用于无油、高效率化学气相沉积过程。
● 控制软件：SENTECH强大的用户界面友好软件，包括模拟图形用户界面、参数窗口、工艺菜单编辑窗口、数据记录和用户管理。
应用展示
低温沉积Si、SiO2薄膜
用户友好控制软件
SI 500 PPD配置选项
● 等离子体增强化学气相沉积主机
● 预真空室
● 适用于大到 200mm 的晶片
● 衬底温度：从室温到 350 °C
● 可选低频射频进一步降低应力
● 用于沉积 TEOS 的液态前驱体解决方案
● 干泵组
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