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瑞森半导体科技(广东)有限公司
封装 | TO-247-3 | 晶体管类型 | 场效应晶体管 |
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碳化硅MOS
RSM120080W
产品描述
RSM120080W 是瑞森采用碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源(UPS)等各种工业和汽车领域。
VDS =1200V,ID =36A
RDS(ON)<98mΩ@ VGS =20V
抗冲击能力强
良好的温度特性
良好的开关特性
产品优势:
基于国家军标生产线研制生产,工艺稳定,质量可靠。
产品特性:
高频率、高功率、高效率、低导通电阻。
产品应用:
太阳能逆变器,高压DC/DC变换器,电机驱动,UPS电源,开关电源,充电桩等。
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