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瑞森半导体科技(广东)有限公司
封装 | TO-220F | 晶体管类型 | 场效应晶体管 |
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高压MOS
RS20N65F
产品描述
RS20N65F是瑞森采用平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。
VDS =650V,ID =20A
RDS(ON)<0.42mΩ@ VGS =10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
通过UIS测试
产品优势:
新型的横向变掺杂技术,专有的功率MOS结构,高温特性优良。
产品特性:
超小内阻,结电容适中,散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小。
产品应用:
LED驱动,小家电,适配器,工业开关电源等。
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