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深圳市达瑞博电子有限公司
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电源测量单元(SMU)集成了 4 象限电压/电流源和测量功能,可在 0.1 fA - 1 A / 0.5 µV - 200 V 范围内执行精确的 IV 测量。它支持点测量、扫描测量、脉冲采样和 QS-CV 测量。
是德 电源测量单元(SMU)
集成了 4 象限电压/电流源和测量功能,可在 0.1 fA - 1 A / 0.5 µV - 200 V 范围内执行精确的 IV 测量。它支持点测量、扫描测量、脉冲采样和 QS-CV 测量。
直流和时间相关测量可让您对电流-电压(IV)测量结果充满信心
4 象限电源和测量功能可让您在低至 fA(毫微微安培)的范围内进行精确的电流-电压(IV)表征
测量范围是 0.1 fA - 1 A / 0.5 µV - 200 V
提供点测量、扫描测量、脉冲和采样测量功能
采样测量间隔为 100 μs
脉宽最小值为 500 μs,使用 2 μs 分辨率
准静态电容-电压(QS-CV)测量,具有泄露电流补偿
在低至次 fA / µV 分辨率上执行低电流/电压测量,实现直流测量性能
电源/测量单元(SMU)是 Keysight B1500A 半导体器件分析仪的关键测量模块。SMU 集成了电压/电流源和测量功能,可在低至 fA / µV 分辨率上执行精确的直流电流-电压(IV)测量。选件 ASU(自动传感和开关单元)可将低电流测量性能向下扩展至次 fA 范围,为您提供更高的测量性能。
SMU 还可执行准静态电容-电压(QS-CV)测量。它不仅拥有低频 CV 特征,同时还是表征栅极晶体管的表面态以及高频 CV 的重要测量方法。Keysight B1500A 支持精确的 QS-CV 测量和泄露电流补偿。
对于要求进行精密电压/电流测量的半导体、纳米器件(例如碳纳米管(CNT)和碳纳米线(CNW))、有源/无源元件、材料以及任意电气器件,SMU 结合使用 EasyEXPERT 软件的分析和数据管理能力,非常适合对这些器件进行表征。
利用硬件时钟精密计时控制功能可实现精确的时间相关表征(例如脉冲和采样测量)
除了直流测量功能之外,Keysight B1500A SMU 还具备时间相关测量功能,包括脉势测量和采样测量。脉冲和采样测量能够找出并捕获动态特征。计时精度是时间相关测量的重要因素之一。Keysight B1500A SMU 利用硬件时钟精密计时控制功能来执行精确的测量。采样测量间隔低至 100 μs,脉宽最小值为 500 μs。
电源测量单元(SMU)Keysight B1500A 提供 3 种 SMU 以满足您的测试需求。
SMU 型号 | 主要特性和技术指标 |
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B1510A 高功率电源/测量单元(HPSMU) |
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B1511A 中功率电源/测量单元(MPSMU) |
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B1511B 高分辨率电源/测量单元(HRSMU) |
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